- home
- Polovodiče diskrétní
- Tranzistory
- Výkonové
- FET
- DMN10H120SFG-13 [DI]
DMN10H120SFG-13 [DI]
N-Ch. MOSFET 100V 3.8A 110mR 2.4W
kliknutím zvětšíte
![DMN10H120SFG-13 [DI] Diodes Inc.](https://shop.ryston.cz/_obchody/ryston/prilohy/112/dmn10h120sfg-13-di.jpg.big.jpg "DMN10H120SFG-13 [DI] Diodes Inc.")
Pro nákup musíte být přihlášen a zároveň mít aktivovaný Váš účet.
Registrace zde
Registrace zde
| Kód: | 2419677 |
| Výrobce: | Diodes Inc. |
| Značení výrobce: | DMN10H120SFG-13 |
| Teplota min: | -55 °C |
| Teplota max: | 150 °C |
| Proud: | 3,8A |
| Napětí: | 100V |
| Typ: | N-Ch |
| Výkon: | 2,4W |
| RDSon: | 110mΩ |
| Pouzdro: | PowerDI3333-8 |
| Balení [ks]: | 3000 |
| Obal: | Cívka |
N-Ch. MOSFET 100V 3.8A 110mR 2.4W
Alternativní značení
DMN10H120SFG-13
DMN10H120SFG
Pouzdro PowerDI3333-8
SMD: Ano
Výprodej