- home
- Polovodiče diskrétní
- Tranzistory
- Signálové
- FET
- BST82,215 [NXP]
BST82,215 [NXP]
N-channel TrenchMOS 100V 190mA
kliknutím zvětšíte
![BST82,215 [NXP] NXP Semiconductors N.V.](https://shop.ryston.cz/_obchody/ryston/prilohy/112/bst82-215-nxp.jpg.big.jpg "BST82,215 [NXP] NXP Semiconductors N.V.")
Pro nákup musíte být přihlášen a zároveň mít aktivovaný Váš účet.
Registrace zde
Registrace zde
| Kód: | 998875 |
| Výrobce: | NXP Semiconductors N.V. |
| Hmotnost [g]: | 0.09 |
| Značení výrobce: | BST82,215 |
| značení výrobce 2: | 9337 331 10215 |
| Teplota min: | -65 °C |
| Teplota max: | 150 °C |
| Proud: | 190mA |
| Napětí: | 100V |
| Typ/pol.: | N-MOS-e |
| Výkon: | 830mW |
| Pouzdro: | SOT-23 |
| Balení [ks]: | 3000 |
| Obal: | Cívka 7" (180 mm) |
N-channel TrenchMOS 100V 190mA
Alternativní značení
BST82,215
9337 331 10215
BST82
Pouzdro SOT-23
standartní SOT-23 se třemi vývody
SMD: Ano
Výprodej